W marcu pisaliśmy o drugiej generacji technologii szybkiego ładowania od Qualcomma, a teraz, po pół roku przyszedł czas na trzecią. Qualcomm zaprezentował technologię Quick Charge 3.0, która zadebiutuje razem z nowym układem Snapdragon 820. Czego możemy się spodziewać?
Skoro nie można do urządzenia wsadzić większej baterii, by nie zrobić z niego cegły i przez najbliższe lata nie możemy liczyć na żadną rewolucję dotyczącą akumulatorów do urządzeń mobilnych, to producenci postanowili ugryźć ten temat z drugiej strony. Samsung ma swój AdaptiveFast Charging, a Qualcomm Quick Charge. Wszystko po to, by szybko naładować baterię. Urządzenia wspierające Quick Charge 2.0 po 40 minutach były naładowane po połowy, a w testach laboratoryjnych, baterię 3300 mAh udało się „napełnić” do 60% w zaledwie pół godziny. Według Qualcomma, Quick Charge 3.0 jest dwukrotnie szybszy od pierwszej generacji i o około 27% szybszy od drugiej. Oznacza to, że urządzenia z 3. generacją szybkiego ładowania po około 35 minutach wskażą aż 80%.
Quick Charge 3.0 jako pierwszy wspiera technologię INOV, przez co krótko mówiąc, urządzenie z większą dokładnością określa poziom mocy, tak by jak najoptymalniej przenieść ją do baterii. Szybkie ładowanie zapewnia większą elastyczność, bo może kontrolować napięcie co 200 mV w zakresie od 3,6 do 20 V. Quick Charge 3.0 jest kompatybilny wstecz i zadebiutuje w nowych układach od Qualcomma jak Snapdragon 820, 620 czy 417.
źródło: Qualcomm przez PhoneArena
No Comments