Pamięć w smartfonie czy tablecie jest niezwykle ważna, bo pozwala nam przechowywać różnego rodzaju dane jak zdjecia, filmy, muzykę czy aplikacje. Wiadomo, że im jej więcej tym lepiej, ale liczy się też jej prędkość. Widać, że Samsung ma pełne ręce roboty, a jego najnowsze urządzenia będą mogły pochwalić się na prawdę dobrymi podzespołami. Parę dni temu światło dzienne ujrzał nowy układ Exynos 5420, który jako pierwszy posiada 6-rdzeniowe GPU, a Samsung rozpoczął masową produkcję 3-gigabajtowych modułów RAM do zastosowań mobilnych. Teraz przyszedł czas na szybkie pamięci flash, zgodne ze standardem eMMC 5.0.

Nowe układy NAND flash zostały wykonane w technologii 10 nm i jako pierwsze na świecie są zgodne z najnowszym standardem eMMC 5.0. Co to oznacza w praktyce? Jak twierdzi Samsung, moduły zapewniają szybkość transferu do 400 MB/s i osiągają losową prędkość zapisu i odczytu na poziomie 7000 IOPS (ilość operacji we/wy, które urządzenie może wykonać w ciągu jednej sekundy). Warto także wspomnieć o prędkości pracy sekwencyjnej, która w nowych modułach wynosi 250 MB/s w przypadku odczytu i 90 MB/s przy zapisie.

Pamięci NAND flash [źródło: Google]
Pamięci NAND flash [źródło: Google]

Pamięci będą produkowane w obudowach BGA153 o wymiarach 11,5 x 13 mm i będą dostępne w trzech wariantach pojemnościowych – 16 GB, 32 GB i 64 GB. Nowe układy mają usprawnić wielozadaniową pracę na smarfonach i tabletach, a także poprawić wydajność podczas przeglądania i przesyłania plików, a także przechwytywania materiałów wideo w rozdzielczości FullHD.

Wszystko na to wskazuje, że nowe pamięci po raz pierwszy pojawią się pod obudową Galaxy Note III i razem najnowszym Exynosem 5420 będą tworzyć na prawdę bardzo wydajny duet. Jednym słowem – Czekamy!

źródło: SamMobile